מספר מוצר של יצרן:
TSM3N100CP ROG
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM3N100CP ROG-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 2.5A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
12896875
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM3N100CP ROG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
664 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
99W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
TSM3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM3N100CP ROGCT-DG
TSM3N100CP ROGDKR
TSM3N100CP ROGCT
TSM3N100CP ROGTR
TSM3N100CP ROGDKR-DG
TSM3N100CP ROGTR-DG
TSM3N100CPROGCT
TSM3N100CPROGDKR
TSM3N100CPROGTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD3NK100Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1359
DiGi מספר חלק
STD3NK100Z-DG
מחיר ליחידה
0.95
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMT8012LPS-13
MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060
TSM130NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
TSM60NB380CP ROG
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252